Vishay宣布升级模拟开关产品工艺

Vishay宣布升级模拟开关产品工艺

日前，Vishay宣布，将多个VishaySiliconix模拟开关产品升级到了新工艺，大幅提升了器件性能和寿命。这种新工艺能够替代渐趋过时的硅技术，全面提高器件的性能参数，并且保证未来有很好的使用寿命。Vishay的模拟开关和复用器产品线始于二十世纪60年代，这次工艺升级表明Vishay将继续支持这些产品。

    VishaySiliconix新发布的增强型模拟开关和复用器在高密度18V工艺上进行设计。这种工艺不但能让使用Vishay现有的12V系列产品的客户顺利过渡到新产品，而且使Vishay开发出更复杂，用于灵敏的模拟设计的新型精密模拟产品。

    器件性能指标的重要改进包括：工作电压从12V提高到16V；更低的泄漏，减少了寄生电容，开关速度更快；更加耐用，具有更高的闩锁电流和ESD保护。例如，新的DG9408E和DG9409E可以直接替换常用的DG9408和DG9409，开关导通电阻比后者低20%，开关速度高10%，寄生电容低35%，闩锁能力高达400A，保证实现2.5kV(人体模型)的ESD保护。